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光捕獲材料生產(chǎn)工藝改進(jìn)后性能大幅提高

日期:2024-04-26 09:17

據(jù)最新一期《自然》雜志報(bào)道,英國(guó)劍橋大學(xué)領(lǐng)導(dǎo)的研究團(tuán)隊(duì)找到一種方法,只需簡(jiǎn)單調(diào)整光捕獲材料的生產(chǎn)工藝,就能使材料性能大幅提高。

科學(xué)家一直在開(kāi)發(fā)低成本的光捕獲半導(dǎo)體,這種材料利用太陽(yáng)能為設(shè)備提供動(dòng)力,將水轉(zhuǎn)化為清潔的氫燃料。目前有一種氧化銅半導(dǎo)體材料,價(jià)格便宜、儲(chǔ)量豐富且無(wú)毒,但其性能遠(yuǎn)不及占據(jù)半導(dǎo)體市場(chǎng)主導(dǎo)地位的硅材料。

為使氧化銅比現(xiàn)有光伏材料更具競(jìng)爭(zhēng)力,研究人員需要對(duì)其進(jìn)行優(yōu)化,使其受到陽(yáng)光照射后能更有效地產(chǎn)生移動(dòng)電荷。一種潛在方法是利用單晶薄膜,這種薄膜具有高度有序的晶體結(jié)構(gòu)。然而,制作這些薄膜通常復(fù)雜且耗時(shí)。

研究人員發(fā)現(xiàn),通過(guò)以特定方向生長(zhǎng)氧化銅晶體,使電荷以體對(duì)角線穿過(guò)晶體,電荷移動(dòng)得更快更遠(yuǎn),就能大幅提高材料性能。

研究人員利用薄膜沉積技術(shù),在常壓室溫下生長(zhǎng)出高質(zhì)量氧化銅薄膜。通過(guò)精確控制腔內(nèi)的生長(zhǎng)和流速,可以將晶體“轉(zhuǎn)移”到特定方向。這些晶體基本上是立方體。當(dāng)電子以體對(duì)角線穿過(guò)立方體,而不是沿著立方體的面或邊緣移動(dòng)時(shí),材料性能會(huì)大幅躍升。電子移動(dòng)得越遠(yuǎn),性能就越好。

研究人員利用高時(shí)間分辨率光譜技術(shù),觀察了晶體方向如何影響電荷在材料中的移動(dòng)效率。實(shí)驗(yàn)顯示,基于這種技術(shù)制造的氧化銅光收集器或光電陰極,與現(xiàn)有最先進(jìn)的氧化物光電陰極相比,性能提高了70%,同時(shí)穩(wěn)定性也大大提高。

研究人員表示,對(duì)低成本半導(dǎo)體材料進(jìn)行一些小調(diào)整,有望推動(dòng)從化石燃料向清潔可持續(xù)燃料的大轉(zhuǎn)變。

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